近日，由阿特斯牵头制订的IEC TS 63202-4 Photovoltaic cells - Part 4: Measurement of light and elevated temperature induced degradation of crystalline silicon photovoltaic cells(晶体硅光伏电池热辅助光致衰减测试方法)正式发布，此标准的发布进一步提高了我国在光伏电池领域的国际标准制定权和话语权。 为了我国太阳能产业在国际有更好的发展，必须推进太阳能技术标准“走出去”，接轨国际新能源标准，提升我国技术标准水平。助力质量强国，贯彻《国家标准化发展纲要》，阿特斯一直在努力，除了IEC TS 63202-4标准以外，目前阿特斯还牵头了多项IEC(国际电工委)国际标准项目的制修订工作。 本次发布的标准由阿特斯在2019年向国标委提交立项提案，2019年12月通过国内专家立项评审，2020年9月由国标委向IEC TC82提出新工作项目NP (new work item proposal) 提案，2021年1月IEC NP投票通过。 LETID(热辅助光致衰减)是晶体硅电池在较高温度和光照条件下面临的一种衰减模式，在P型单多晶电池和N型电池中都会发生。本标准的制订有助于快速判断晶体硅电池的LETID风险，评估抗LeTID工艺措施的有效性，并最终提升光伏组件的户外发电能力。阿特斯从2016年开始研究电池LID、LETID衰减机理，包括其消除方案和量产监控手段。阿特斯在行业内推广了CIR电注入技术以消除PERC电池LETID衰减问题，并首创了CID量产监控技术。阿特斯组件的抗LETID衰减性能也得到了第三方认可，属于行业领先水平，也因此牵头承担晶体硅电池LETID衰减测试方法IEC标准的制定工作。